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BERKANI Mounira

Maitre de conférence en Génie Electrique

Publié le 4 septembre 2014 Mis à jour le 16 février 2015
Laboratoire de rattachement
Systèmes et applications des technologies de l'information et de l'énergie (SATIE)

Domaine de recherche du laboratoire
SATIE est un laboratoire de recherche en sciences appliquées, qui se consacre aux systèmes et applications des technologies de l'information et de l'énergie

Université : ENS Cachan
Statut : UMR 8029
Adresse : 61 avenue du président Wilson - 94230 Cachan
Site Web : www.satie.ens-cachan.fr
Directeur : Pascal LARZABAL
E-mail direction du laboratoire : pascal.larzabal@satie.ens-cachan.fr

Activité scientifique
Thème de recherche : Diagnostic et maintenance préventive des composants de puissance embarqués.
L’objectif des recherches est d’améliorer la fiabilité des composants de puissances embarqués. Pour cela il est impératif de comprendre les mécanismes de dégradation sous contraintes thermiques et électriques sévères.

Mots-clés résumant le thème : vieillissement accéléré, fiabilité, robustesse, haute température,électronique de puissance

Liste sélective des travaux
Publications :
M. Berkani, S. Lefebvre, Z. Khatir, “Saturation Current and On-Resistance Correlation during During Repetitive Short-Circuit Conditions on SiC JFET Transistors”, IEEE Transactions on Power Electronics, Volume: 28, Issue: 2, Page(s): 621 – 624, Feb. 2013.
G. Rostaing, M. Berkani, D. Mechouche, D. Labrousse, S. Lefebvre, Z. Khatir, Ph. Dupuy “Reliability of power converter based-MOSFET under normal and extreme conditions for 24V battery applications”, Microelectronics Reliability, Volume 53, Issues 9–11, September–November 2013, Pages 1703-1706.
D. Othman, S. Lefebvre, M. Berkani, Z. Khatir, A. Ibrahim, A. Bouzourene “Robustness of 1.2 kV SiC MOSFET devices”, Microelectronics Reliability, Volume 53, Issues 9–11, September–November 2013, Pages 1735–1738.
V. Smet, F. Forest, member, IEEE, J.-J. Huselstein, F. Richardeau, Z. Khatir, S. Lefebvre, M.Berkani, “Ageing and Failure Modes of IGBT Modules in High Temperature Power Cycling”, IEEE Transaction On Industral Electronics, 2011.
Pietranico S., Pommier S., Lefebvre S., Berkani M., Khatir Z., Bontemps S. Cadel E., « Effect of die metallization layer ageing in the case of power semiconductor devices », European journal of electrical engineering, 2011

Communications :
M. Berkani-Bouarroudj, S. Lefebvre, Z. Khatir, S. Bontemps, “Investigations on ageing of IGBT transistors under repetitive short-circuits operations”, pp.237-242, PCIM China, juin 2009, Shanghai, Conférence invitee.
M. Bouarroudj-Berkani, “ défaillances de modules IGBT liés aux phénomènes thermomécaniques”, invitée à la journée SEEDS/ISP3D 2009, INSA Lyon.
D. Othman, M. Berkani, S. Lefebvre, A. Ibrahim, Z. Khatir, A. Bouzourene. “Comparison study on performances and robustness between SiC MOSFET & JFET devices – Abilities for aeronautics application”, ESREF’13 24th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, 30 Septembre-04 Octobre 2013, Arcachon, France.
Mounira Bouarroudj-Berkani, Stéphane Lefebvre, Dhouha Othman, Sabrine Moumen sabrine, Zoubir Khatir , Tarek Ben Salah, “Failure modes and robustness of SiC JFET transistors under current limiting operations”, EPE2011, Birmingham
G. Rostaing, M. Berkani, S. Lefebvre, Z. Khatir, Ph. Dupuy “Reliability of power converter based- MOSFET under normal and extreme conditions for 24V battery applications”, ESREF’13 24th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, 30 Septembre-04 Octobre 2013, Arcachon, France.

Ouvrages ou monographies :
Publication d’un  article dans les Technique de l’Ingénieurs, « Fatigue des composants électroniques de puissance - Physique de défaillance »,  Auteurs : Mounira BOUARROUDJ-BERKANI et Laurent DUPONT, Réf : D3126, Date de publication : 10 nov. 2010.

Contrats de recherche:
Participation à un projet de recherche national (ANR, etc.) :
- ANR VTT2010 (Véhicules pour les  Transports Terrestres) qui s’intitule FIDEA (Fiabilité et Diagnostic des Composants Electroniques de Puissance pour applications Automobiles)
- COUPLET (COUPLage Electro Thermique) dans le cadre de l’Institut FARMAN (ENS Cachan)

Organisation d’événements scientifiques
Comité d’organisation de la conférence SGE qui se tiendra du 8 au 10 Juillet 2014 à l’ENS de Cachan.
Participation au jury des Olympiades des sciences de l’ingénieur (édition 2012 et 2013).

Expertises scientifiques :
Comités scientifiques ou éditoriaux de revues :
Reviewer pour la revue IEEE Transactions on Power Electronics (4 papiers relus).
2012 : Sollicité par les éditeurs associés suivants: François COSTA, Andreas LINDEMANN, Toshihisa SHIMIZU,
2013 : Sollicité par l’éditeur associé: Yung C. LIANG

Responsabilités scientifiques :
Direction de projets scientifiques (ANR, etc.) : Coordinatrice du projet MaPSe (Maintenance Prédictive des composants semiconducteurs Embarqués), soumission de la pré-proposition dans le cadre de l’Appel A Projet générique 2014 de l’ANR. Accepté lors de la première phase. La proposition détaillée à été soumise le 06 mai 2014.

Expertise scientifique : Expert scientifique auprès de l’ANRT (2 dossier expertisé) :
2012 : Sollicitée par Clarisse ANGELIER, Chef du service CIFRE
2013 : Sollicitée par Joëlle POUSSE, Service CIFRE